摘要：本发明公开了一种有效提高GaN基LED发光效率的外延生长方法，该方法是在传统的GaN基LED结构：衬底上的缓冲层、uGaN层、nGaN、n型电流扩展层、n型空间层、量子阱有源区、p型电子阻挡层、p型GaN、接触层的基础上，在n型电流扩散层和n型空间层之间加入一步表面处理的程序，将从衬底和GaN界面延伸至电流扩散层的缺陷以及应力进行破坏和释放，之后再通过生长条件的控制将材料的表面恢复平整，然后再生长量子阱有源区。结果表明，和传统的生长技术相比，这样生长的量子阱受缺陷和应力的影响较小，能有效的提高样品的发光强度。本发明适用于蓝绿光波段的GaN基LED的外延生长。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人孙玉芹;王江波;魏世祯;刘榕;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201210299221.4
- 申请时间2012年08月22日
- 申请公布号CN102779737A
- 申请公布时间2012年11月14日
- 分类号H01L21/205(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
