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  • 教育装备采购网首页 > 知识产权 > 专利 > CN102779737A

    一种提高GaN基LED发光效率的外延方法

      摘要:本发明公开了一种有效提高GaN基LED发光效率的外延生长方法,该方法是在传统的GaN基LED结构:衬底上的缓冲层、uGaN层、nGaN、n型电流扩展层、n型空间层、量子阱有源区、p型电子阻挡层、p型GaN、接触层的基础上,在n型电流扩散层和n型空间层之间加入一步表面处理的程序,将从衬底和GaN界面延伸至电流扩散层的缺陷以及应力进行破坏和释放,之后再通过生长条件的控制将材料的表面恢复平整,然后再生长量子阱有源区。结果表明,和传统的生长技术相比,这样生长的量子阱受缺陷和应力的影响较小,能有效的提高样品的发光强度。本发明适用于蓝绿光波段的GaN基LED的外延生长。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人华灿光电股份有限公司;
    • 发明人孙玉芹;王江波;魏世祯;刘榕;
    • 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
    • 申请号CN201210299221.4
    • 申请时间2012年08月22日
    • 申请公布号CN102779737A
    • 申请公布时间2012年11月14日
    • 分类号H01L21/205(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;