摘要：本发明涉及一种制备Al掺杂的碳化硅纳米线的方法，技术特征在于：在无催化剂的条件下以反应烧结的硅基陶瓷和石墨粉为前驱体在硅基陶瓷表面大量合成的Al掺杂SiC纳米线。本方法低成本、高效地制备大量的高纯Al掺杂的SiC纳米线。此外，通过调整制备温度可以有效控制合成Al掺杂的SiC纳米线的形貌和尺寸。合成的纳米线主要由大量的直径变化的6H-SiC纳米线组成。纳米线的中心线或中心杆的直径分布在50～100nm范围内，中心线或中心杆上节点结构的直径分布在150～300nm范围内，且都是由Si、C、Al、O等四种元素组成。它们的长度可控，最长可以达到毫米数量级。
- 专利类型发明专利
- 申请人西北工业大学;
- 发明人李贺军;褚衍辉;付前刚;李克智;李露;
- 地址710072 陕西省西安市友谊西路127号
- 申请号CN201210206341.5
- 申请时间2012年06月21日
- 申请公布号CN102701207B
- 申请公布时间2013年10月09日
- 分类号C01B31/36(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
