摘要：本发明涉及一种基于AlN陶瓷衬底的GaN外延片结构及制备方法，属于外延片的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述基于AlN陶瓷衬底的GaN外延片结构，包括AlN陶瓷衬底及生长于AlN陶瓷衬底上的缓冲层，所述缓冲层上生长有GaNLED结构层。本发明采用AlN陶瓷衬底，并在AlN陶瓷衬底上设置缓冲层，通过生长缓冲层后在AlN陶瓷衬底上通过MOCVD常规工艺制备得到GaNLED结构层，工艺步骤简单方便，能大大提高GaNLED晶体质量，同时可以在GaNLED结构层内设置DBR层及粗化层，以提高通过GaNLED结构层得到LED工作时的出光效率，通过AlN陶瓷衬底能提高导热性能，结构简单紧凑，工艺简单，机械性能优良，耐腐蚀，延长通过外延片制备LED器件的使用寿命，稳定可靠。
- 专利类型发明专利
- 申请人江苏新广联科技股份有限公司;
- 发明人郭文平;王东盛;钟玉煌;
- 地址214111 江苏省无锡市锡山区锡山经济开发区团结北路18号
- 申请号CN201210136796.4
- 申请时间2012年05月04日
- 申请公布号CN102637791B
- 申请公布时间2014年12月10日
- 分类号H01L33/00(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
