摘要：本发明公开了一种应用原子层沉积技术制备三氧化二铝钝化薄膜的方法，所述方法包括：预热步骤，将衬底承载器放入预热腔室中，以热空气为介质对衬底进行预热；温度稳定步骤，待衬底承载器达到预定温度后，将衬底承载器转移至沉积腔室，以热惰性气体为介质对衬底进行加热；沉积步骤，待沉积腔室温度稳定后，通入反应气体完成至少一个三氧化二铝薄膜生长周期；冷却步骤，待完成三氧化二铝薄膜的沉积后，取出衬底承载器进行冷却。本发明在ALD工艺中引入独特的预热工艺和气体加热工艺，有效缩短了衬底材料的温度稳定时间，兼顾了时域ALD设备的成本低廉和批处理ALD设备的高产量特点，通过优化相关工艺参数有效提高了三氧化二铝薄膜的生产效率。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
- 发明人王启元;克雷格·伯考;李春雷;赵星梅;
- 地址100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2楼2层
- 申请号CN201210102536.5
- 申请时间2012年04月09日
- 申请公布号CN102637585B
- 申请公布时间2014年07月30日
- 分类号H01L21/205(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
