摘要：本发明实施例公开了一种半导体发光器件及其制备方法，属于光电技术领域。所述半导体发光器件包括：衬底、设于所述衬底上的外延层和设于所述外延层上的电极层；所述衬底的底面和所述电极层的表面中的至少一个形成有多个凸起和/或孔，所述凸起和所述孔均从所述底面或所述电极层的表面向所述半导体发光器件的内部延伸，所述凸起的高度至少为0.1μm，所述孔的深度至少为0.1μm。本发明实施例采用多孔氧化铝模板，在半导体发光器件的电极层表面和/或衬底的底面形成多个凸起和/或孔，可以有效提高半导体发光器件的取光效率，工艺简单，易于控制，适于大批量生产，进而降低了半导体发光器件的制造成本。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人金迎春;徐瑾;王江波;
- 地址430223 湖北省武汉市光谷滨湖路8号
- 申请号CN201210093235.0
- 申请时间2012年03月31日
- 申请公布号CN102623603A
- 申请公布时间2012年08月01日
- 分类号H01L33/38(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
