摘要：本发明公开一种渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管，通过能带工程设计与优化，在其外延结构中引入六种不同方式变化的类超晶格铝镓氮电子阻挡层来实现铝组分的变化，从而调节电子阻挡层中的极化效应，实现高的空穴注入，以解决紫外光半导体发光二极管中P型掺杂效率低空穴浓度不足的问题。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人李文兵;王江波;董彬忠;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201210122392.X
- 申请时间2012年04月25日
- 申请公布号CN102623599B
- 申请公布时间2014年05月07日
- 分类号H01L33/14(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
