摘要：本发明实施例公开了一种LED芯片的制造方法，属于光电技术领域。所述方法包括：提供基板，并在基板上形成外延层；在第一掩膜的掩盖下，对外延层进行第一次刻蚀，以形成第一凹槽；采用激光划片技术从外延层一侧进行划片，形成划片槽，并高温腐蚀划片槽；在第二掩膜的掩盖下，对外延层进行第二次刻蚀，以形成隔离槽，隔离槽位于第一凹槽内，且隔离槽的宽度大于划片槽的宽度；在隔离槽中设置绝缘层；在相邻的子芯片间形成电气连接。本发明实施例采用两步刻蚀来形成隔离槽，并在两步刻蚀之间插入正划工艺，可以有效减少划片处吸光，从而提高发光元件的整体亮度，工艺简单，容易实现。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人程素芬;徐瑾;王江波;
- 地址430223 湖北省武汉市光谷滨湖路8号
- 申请号CN201210093271.7
- 申请时间2012年03月31日
- 申请公布号CN102623587B
- 申请公布时间2014年12月24日
- 分类号H01L33/00(2010.01)I;H01L21/78(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
