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  • 教育装备采购网首页 > 知识产权 > 专利 > CN102623587B

    LED芯片的制造方法

      摘要:本发明实施例公开了一种LED芯片的制造方法,属于光电技术领域。所述方法包括:提供基板,并在基板上形成外延层;在第一掩膜的掩盖下,对外延层进行第一次刻蚀,以形成第一凹槽;采用激光划片技术从外延层一侧进行划片,形成划片槽,并高温腐蚀划片槽;在第二掩膜的掩盖下,对外延层进行第二次刻蚀,以形成隔离槽,隔离槽位于第一凹槽内,且隔离槽的宽度大于划片槽的宽度;在隔离槽中设置绝缘层;在相邻的子芯片间形成电气连接。本发明实施例采用两步刻蚀来形成隔离槽,并在两步刻蚀之间插入正划工艺,可以有效减少划片处吸光,从而提高发光元件的整体亮度,工艺简单,容易实现。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人华灿光电股份有限公司;
    • 发明人程素芬;徐瑾;王江波;
    • 地址430223 湖北省武汉市光谷滨湖路8号
    • 申请号CN201210093271.7
    • 申请时间2012年03月31日
    • 申请公布号CN102623587B
    • 申请公布时间2014年12月24日
    • 分类号H01L33/00(2010.01)I;H01L21/78(2006.01)I;