摘要：本发明实施例公开了一种半导体发光二极管及其制造方法，属于光电子技术领域。所述半导体发光二极管包括：依次层叠在衬底上的N型氮化镓层、量子阱结构层、电子阻挡层和P型氮化镓层，所述电子阻挡层包括至少一个第一铝镓氮层和至少一个第二铝镓氮层，所述第一铝镓氮层和第二铝镓氮层交替层叠布置，相邻的第一铝镓氮层和第二铝镓氮层的铝组分不同。所述方法包括：在衬底上依次生长N型氮化镓层、量子阱结构层、电子阻挡层和P型氮化镓层。本发明实施例通过能带工程，优化和设计电子阻挡层中铝组分的变化，可以在实现对溢出电子的阻挡的同时，提高空穴的注入效率，从而提高发光二极管的量子效率。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人李文兵;王江波;董彬忠;杨春艳;
- 地址430223 湖北省武汉市光谷滨湖路8号
- 申请号CN201210056382.0
- 申请时间2012年03月06日
- 申请公布号CN102569571B
- 申请公布时间2015年06月24日
- 分类号H01L33/06(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
