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    自关断可控硅等效电路

      摘要:本发明的目的在于提供自关断可控硅等效电路,其包括晶体管或复合管或DMOS管Q1、晶体管或复合管或DMOS管Q2、箝位限流保护电路以及开关管Q3,其中:所述晶体管或复合管或DMOS管Q1的发射极作为阳极A,基极与箝位限流保护电路的一端相连接;所述箝位限流保护电路的另一端与所述阳极A相连接;所述开关管Q3的基极作为控制极G,集电极与所述晶体管或复合管或DMOS管Q1的集电极相连接,发射极与所述晶体管或复合管或DMOS管Q2的基极相连接;所述晶体管或复合管或DMOS管Q2的集电极与所述晶体管或复合管或DMOS管Q1的基极相连接,发射极作为阴极K。本发明所提供的自关断可控硅等效电路可实现电流驱动,只要有无电流就可轻易实现开断,方便进行低压电流的自动化控制,解决了现有技术中在关断时需要反向脉冲,不易关断的缺点。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人北京雪迪龙科技股份有限公司;
    • 发明人林计平;
    • 地址102206 北京市昌平区回龙观国际信息产业基地3街3号
    • 申请号CN201110460626.7
    • 申请时间2011年12月31日
    • 申请公布号CN102522972A
    • 申请公布时间2012年06月27日
    • 分类号H03K17/72(2006.01)I;