摘要：本发明提供一种半导体生产工艺中激光退火技术范围内的一种采用激光辅助加热的激光退火方法及装置，该方法主要是采取两台激光器，一台激光器用于激光辅助加热，是半导体表面活化，为激光退火做准备工作；一台激光器用于为半导体进行激光退火。两束激光经过相关光学系统后同轴输出，照射到扫描镜上。扫描光学系统被装配在精密机械组件上由电动控制。电动控制系统采用检流计控制结构，当输入电压为-10V至+10V时，机械结构会对应偏转-20°至+20°，从而可以使对输入电压的控制转化为对机械结构转动角度的精确控制。光学镜片被固定在机械结构上，通过控制扫描光学系统的旋转角度来调节激光光束的照射位置。从而实现了激光光束在水平方向和竖直方向上的扫描。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京中科思远光电科技有限公司;
- 发明人彭海波;彭俊;刘全力;
- 地址100193 北京市海淀区东北旺南路26号院内2号楼2层
- 申请号CN201110356480.1
- 申请时间2011年11月11日
- 申请公布号CN102489876A
- 申请公布时间2012年06月13日
- 分类号B23K26/04(2006.01)I;B23K26/42(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
