摘要：本发明公开一种提高ESD的复合n-GaN层结构的制备方法，该材料依次由蓝宝石衬底层，低温生长的GaN缓冲层，高温生长的不掺杂的u-GaN层，高温生长的n-GaN层，InxGa1-xN/GaN多量子阱层，p-AlyGa1-yN电子阻挡层，p-GaN层和p-GaN接触层组成。在高温生长的n-GaN中间插入一层n-AlzGa1-zN层，形成复合结构，重掺杂的n+-GaN能有效的降低Vf，n-AlzGa1-zN的插入能有效的减少量子阱区的线性位错和V型位错，提高晶体质量，提高发光二极管的抗静电能力，低掺杂的n-GaN作为电流分散层，能有效的提高器件的寿命。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人王明军;魏世祯;胡加辉;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201110330664.0
- 申请时间2011年10月27日
- 申请公布号CN102412351A
- 申请公布时间2012年04月11日
- 分类号H01L33/00(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
