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    一种硼-镓共掺准单晶硅及其制备方法

      摘要:本发明公开了一种硼-镓共掺准单晶硅,含有浓度为1×1014/cm3~5×1016/cm3的硼和/或磷以及浓度为1×1014~1×1018/cm3的镓。该准单晶硅可用于制造高效率的薄片太阳能电池;同时由于硼-镓共掺的作用,降低或避免了硼氧复合体的产生,从而降低了电池的光致衰减。本发明还公开了其制备方法,该制备方法简便,易操作,成本低,可规模化生产。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学;
    • 发明人黄新明;钟根香;明亮;
    • 地址222300 江苏省连云港市东海县经济开发区西区光明路1号
    • 申请号CN201110388683.9
    • 申请时间2011年11月30日
    • 申请公布号CN102400219A
    • 申请公布时间2012年04月04日
    • 分类号C30B29/06(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;