金属薄膜电容及其制备方法

　　摘要：本发明公开了一种金属薄膜电容，包括绝缘基板，在绝缘基板的顶部设有带引出端Ⅰ的金属薄膜电极Ⅰ，在引出端Ⅰ接口外的金属薄膜电极Ⅰ表面上设有介质薄膜，在介质薄膜的顶部设有带引出端Ⅱ的金属薄膜电极Ⅱ。本发明采用五氧化二钽等既绝缘，又具有良好的化学稳定性的材料制成的薄膜作为电介质，解决一般薄膜电容器电介质的介电常数低，耐热差，成膜性差，机械强度低等问题。而且通过掩膜工艺，沉积两层金属膜作为上下电极，极大地减少了金属用量，降低了生产成本，制作工艺简单。选用钽、铌、铜、银等金属或它们合金作为金属薄膜电极，它们的电阻率很低，并且可耐高温高压，具有较高的稳定性，可适应多种复杂环境。

专利类型发明专利
申请人贵州大学;
发明人邓朝勇;马亚林;石健;崔瑞瑞;
地址550003 贵州省贵阳市蔡家关贵州大学科技处
申请号CN201110224068.4
申请时间2011年08月05日
申请公布号CN102385985A
申请公布时间2012年03月21日
分类号H01G4/005(2006.01)I;H01G4/228(2006.01)I;H01G4/10(2006.01)I;H01G4/008(2006.01)I;H01G4/33(2006.01)I;