摘要：本发明公开了一种半导体热处理工艺温度前馈补偿方法，包括：若当前实际温度与目标温度之间的差值不小于第一设定值，则根据目标温度的升温速率调整补偿输出的给定温度，使给定温度大于目标温度，消除实际温度相对于目标温度的滞后；若当前实际温度与目标温度之间的差值小于第一设定值，且当前实际温度的升温速率不小于目标温度的升温速率，则根据当前实际温度与目标温度之间的差值调整补偿输出的给定温度，使当前实际温度跟踪目标温度的变化；若当前实际温度与最终温度之间的差值小于当前实际温度与目标温度之间的差值，则根据最终温度，调整补偿输出的给定温度以减小超调。本发明的方法能够有针对性地高精度地补偿，且适用性较广。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
- 发明人田博;徐冬;王艾;
- 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2号楼2层
- 申请号CN201110162649.X
- 申请时间2011年06月16日
- 申请公布号CN102354244A
- 申请公布时间2012年02月15日
- 分类号G05F1/567(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
