摘要：本发明提供一种发光二极管的光电参数分组测试方法，其特征在于：一个芯片的完整光电参数组中，一部分光电参数是使用本芯片的光电参数，另外一部分光电参数是使用在晶圆位置上与本芯片相邻或相近芯片的光电参数。本发明的优点在于：按照本发明的LED芯片测试方法，不需要完整的测试每一颗LED芯片的光电参数，简化LED的芯片测试。并且每一颗芯片的光电参数在其周围芯片的光电参数中都有体现。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人张建宝;宋超;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201110258720.4
- 申请时间2011年09月02日
- 申请公布号CN102280395A
- 申请公布时间2011年12月14日
- 分类号H01L21/66(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
