摘要：本发明涉及本一种具有弯曲衬底侧面的发光二极管及其制备方法；通过两束光激光束对晶片进行划片时，调整两束激光束聚焦点在晶片中的位置，使得二极管芯片的衬底侧面是倾斜/弯曲的，并能降低总的划片深度，本发明改善了传统发光二极管芯片出光效率低的缺陷，所制得的发光二极管芯片出光效率得到提高，并且裂片成品率和均匀性得到改善。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人罗红波;张建宝;周武;刘榕;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201110199127.7
- 申请时间2011年07月15日
- 申请公布号CN102270717A
- 申请公布时间2011年12月07日
- 分类号H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;B23K26/36(2006.01)I;B23K26/42(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
