大功率倒装阵列LED芯片及其制造方法

　　摘要：本发明公开了一种大功率倒装阵列LED芯片及其制造方法。其大功率倒装阵列LED芯片结构为：阵列LED芯片是由多个阵列单元构成阵列，其中相邻阵列单元都共用一个n型缓冲层（3）；所述阵列单元是蓝宝石衬底（2）上方依次覆盖n型缓冲层（3）、n型半导体层（6）、有源层（7）、p型半导体层（8）、透明电极层（9）、p电极层（10）；相邻两个阵列单元之间是n电极（5）；并且n电极（5）和p电极层（10）由绝缘层（4）包覆；在绝缘层（4）包覆的p电极层（10）窗口上方覆盖外接金属散热层（11）。蓝宝石衬底（2）的出光面处理为粗糙化表面（1）。芯片的p电极采用光反射率较高的银或铝等金属。

专利类型发明专利
申请人贵州大学;
发明人邓朝勇;杨利忠;李绪诚;张荣芬;许铖;
地址550025 贵州省贵阳市贵州大学花溪北校区科技处
申请号CN201110214627.3
申请时间2011年07月29日
申请公布号CN102270633B
申请公布时间2013年11月20日
分类号H01L25/075(2006.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;