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    反应腔室的密封装置及方法

      摘要:本发明公开了一种反应腔室的密封装置及方法,涉及半导体生产装置技术领域,所述装置包括工艺管(1)、工艺板(2)、密封气体供应单元(6)和气压控制单元(5)。本发明通过设置气压控制单元通过调节凹槽内密封气体的压力,以实现所述反应腔室内工艺气体的压力与所述凹槽内密封气体的压力平衡,从而保证所述反应腔室内工艺气体不会泄露出来,同时也控制所述凹槽内密封气体的压力大于外界气体的压力,防止外部气体进入所述凹槽,解决了在高温的处理工艺中对反应腔室进行有效的密封的问题。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
    • 发明人董金卫;赵燕平;卢言晓;孙少东;
    • 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2号楼2层
    • 申请号CN201110164573.4
    • 申请时间2011年06月17日
    • 申请公布号CN102270566A
    • 申请公布时间2011年12月07日
    • 分类号H01L21/00(2006.01)I;