摘要：本发明公开了一种可消除硅偏聚的铝合金真空焊接方法：（1）预热：将待焊接铝合金与铝硅系钎料组装完毕后零件置于真空钎焊炉内，以8～10℃/S的升温速度加热至200～300℃，保温20-40min，真空度>5×10-2Pa；（2）破膜：以6～9℃/S的升温速度加热至530-550℃，保温20～40min，真空度>5×10-3Pa；（3）焊接：以小于5℃/S的升温速度加热至600～620℃，保温60～90min，真空度>3×10-3Pa；（4）冷却：焊接好的零件随炉降温至520-540℃，取出空冷至室温。通过控制真空钎焊的工艺参数大幅度减少甚至避免了硅偏聚现象的产生，提高了铝合金产品焊缝的组织均匀性。
- 专利类型发明专利
- 申请人贵州大学;
- 发明人赵飞;陈召松;梁益龙;张占铃;
- 地址550003 贵州省贵阳市蔡家关贵州大学科技处
- 申请号CN201110212478.7
- 申请时间2011年07月28日
- 申请公布号CN102248242A
- 申请公布时间2011年11月23日
- 分类号B23K1/008(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
