摘要:本发明公开了一种软开关机电路,包括:P沟道MOSFET,其源极与外部供电电源连接,栅极通过第一电阻与外部供电电源连接,漏极与系统电源连接;N沟道MOSFET,其源极接地,栅极通过第二电阻接地,漏极与P沟道MOSFET的栅极连接;隔离部件,其第一极与P沟道MOSFET的栅极连接,第二极通过第四电阻与系统电源连接,第三极通过电源键接地;输入I/O口,与隔离部件的第二极连接;输出I/O口,通过第三电阻与N沟道MOSFET的栅极连接,本发明开/关机控制流程为:检测输入I/O口是否为低电平,若为高则程序结束,若为低则将输出I/O口置为高电平或低电平。借此,本发明保证系统关机后彻底切断电源,无待机电流。
- 专利类型发明专利
- 申请人康佳集团股份有限公司;
- 发明人白延召;
- 地址518031 广东省深圳市南山区华侨城
- 申请号CN201010142429.6
- 申请时间2010年04月01日
- 申请公布号CN102213993A
- 申请公布时间2011年10月12日
- 分类号G06F1/32(2006.01)I;H02H3/027(2006.01)I;