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    高压PMOS双槽隔离的SOI晶片

      摘要:本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有高压PMOS双槽隔离的SOI晶片由于双槽之间的N型外延层浮空,PMOS源端附近的硅层仍然需要承受电压降导致易被击穿的问题,提供了一种高压PMOS双槽隔离的SOI晶片,其技术方案为:高压PMOS双槽隔离的SOI晶片,包括源端金属、金属前介质、N型外延层及两个隔离槽,其特征在于,还包括N型欧姆接触区及金属,所述两个隔离槽之间的N型外延层上表面设置有N型欧姆接触区,其上设置有金属并沿金属前介质层延伸,且与源端金属连接。本发明的有益效果是,彻底解决电平位移电路中高端PMOS容易击穿的问题,适用于高压PMOS的SOI晶片。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人四川长虹电器股份有限公司;
    • 发明人廖红;
    • 地址621000 四川省绵阳市高新区绵兴东路35号
    • 申请号CN201110124853.2
    • 申请时间2011年05月16日
    • 申请公布号CN102201448B
    • 申请公布时间2013年01月30日
    • 分类号H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;