摘要：本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有高压PMOS双槽隔离的SOI晶片由于双槽之间的N型外延层浮空，PMOS源端附近的硅层仍然需要承受电压降导致易被击穿的问题，提供了一种高压PMOS双槽隔离的SOI晶片，其技术方案为：高压PMOS双槽隔离的SOI晶片，包括源端金属、金属前介质、N型外延层及两个隔离槽，其特征在于，还包括N型欧姆接触区及金属，所述两个隔离槽之间的N型外延层上表面设置有N型欧姆接触区，其上设置有金属并沿金属前介质层延伸，且与源端金属连接。本发明的有益效果是，彻底解决电平位移电路中高端PMOS容易击穿的问题，适用于高压PMOS的SOI晶片。
- 专利类型发明专利
- 申请人四川长虹电器股份有限公司;
- 发明人廖红;
- 地址621000 四川省绵阳市高新区绵兴东路35号
- 申请号CN201110124853.2
- 申请时间2011年05月16日
- 申请公布号CN102201448A
- 申请公布时间2011年09月28日
- 分类号H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
