摘要：本发明属于高温材料领域，特别涉及了一种二硅化钼基电热元件及其制备方法。所述电热元件由下述质量百分含量的各原料制成：成型结合剂3~6%、改性添加剂1~3%，余量为基体材料；所述基体材料为钼硅质量比为61：39的自蔓延燃烧合成的二硅化钼粉体，成型结合剂为钠基膨润土或钙基膨润土，改性添加剂为氧化铝、氧化镁、氧化铅、氧化钡、三氧化二硼、氟化钙之中的一种或两种以上的组合。本发明电热元件表面膜厚度为15~20μm，密度≥5.6g/cm3，热端的平均强度不低于300MPa，冷热端焊口部位平均强度不低于250MPa，循环使用寿命可达50,000次循环以上。
- 专利类型发明专利
- 申请人郑州嵩山电热元件有限公司;
- 发明人郜剑英;郑国军;
- 地址452483 河南省登封市三里庄高新技术工业园区
- 申请号CN201110051906.2
- 申请时间2011年03月04日
- 申请公布号CN102173814A
- 申请公布时间2011年09月07日
- 分类号C04B35/58(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
