摘要：本发明属于高新材料制备领域，具体公开一种MoSi2/Mo复合粉体及Mo-Si-B复合材料的制备方法。（1）根据所要求包裹层Mo的厚度，选定合适粒度的待处理粉体MoSi2，其原则为粉体MoSi2的粒度为包裹层Mo厚度的3~5倍，粒度和厚度单位均为微米；（2）真空处理粉体MoSi2：真空度为10-2~10-4Pa，处理温度为1400~1600℃，处理时间由公式h=Kt1/2确定，其中h--包裹层Mo厚度，单位为微米，K--与材料性质、处理温度有关的常数，t为处理时间，单位为小时；（3）将处理过的粉体，通过粉末冶金的方法制备Mo-Si-B复合材料。本发明方法可以实现复合材料中第二相含量的控制，避免复合材料中第二相的偏析，可以实现复合材料组织结构的最优化，从而来改善复合材料的综合性能。
- 专利类型发明专利
- 申请人郑州嵩山电热元件有限公司;
- 发明人郜剑英;郑国军;
- 地址452483 河南省登封市三里庄高新技术工业园区
- 申请号CN201110051907.7
- 申请时间2011年03月04日
- 申请公布号CN102134659A
- 申请公布时间2011年07月27日
- 分类号C22C1/04(2006.01)I;C22C29/18(2006.01)I;B22F1/02(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
