摘要：本发明涉及一种脉冲调制射频等离子体增强原子层沉积装置及方法，所述的脉冲调制射频等离子体增强原子层沉积装置，包括真空反应腔体，真空反应腔体内底部设有基底，真空反应腔体分别连接真空机械泵和前驱体输入管路，其特征在于，真空反应腔体内顶部设有等离子体电极，等离子体电极依次连接射频功率匹配器、脉冲调制射频电源和脉冲延时器。所述的方法为在沉积至少一种前驱体时，通过脉冲调制射频电源产生等离子体辅助沉积。本发明的优点是降低了沉积过程中离子轰击对沉积薄膜的影响，并且防止沉积过程中腔体温度的上升。
- 专利类型发明专利
- 申请人东华大学;无锡迈纳德微纳技术有限公司;
- 发明人石建军;刘新坤;黄晓江;梅永丰;
- 地址201620 上海市松江区人民北路2999号
- 申请号CN201110041566.5
- 申请时间2011年02月21日
- 申请公布号CN102127756A
- 申请公布时间2011年07月20日
- 分类号C23C16/505(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
