摘要：本发明涉及半导体功率器件的技术。本发明解决了现有常规体硅LDMOS器件只关注该器件表面电场优化的问题，提供了一种体内场调制的体硅LDMOS器件，其技术方案可概括为：体内场调制的体硅LDMOS器件，其在第一型杂质衬底中水平设置有第二型杂质浮空层，第二型杂质浮空层与第二型杂质外延层之间的垂直距离大于零。本发明的有益效果是，其在第一型杂质衬底中引入第二型杂质浮空层电荷，所引入的电荷与第一型杂质衬底相互作用会增加该器件的表面场，同时其促使耗尽层向第一型杂质衬底延伸，减小该器件纵向电场强度，且第二型杂质浮空层能够对于器件漂移区中横向电场与纵向电场进行调制，适用于体硅LDMOS器件。
- 专利类型发明专利
- 申请人四川长虹电器股份有限公司;
- 发明人梁涛;罗波;孙镇;
- 地址621000 四川省绵阳市高新区绵兴东路35号
- 申请号CN201010579333.6
- 申请时间2010年12月08日
- 申请公布号CN102082177A
- 申请公布时间2011年06月01日
- 分类号H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
