摘要：本发明提供一种硅麦克风的制造方法，该方法通过湿法蚀刻从单晶硅基板的离子注入层直接蚀刻出硅麦克风的振动膜。在蚀刻振动膜的过程中，基于电化学的原理，基板中的N(或P)型离子注入层施加一相应的正(或负)电压，从而使蚀刻停止在离子注入层与基板的界面处。所形成的单晶硅振动膜没有内应力且机械性能很好。另外，还可以在单晶硅振动膜中形成褶皱形状，从而提高振动膜的灵敏度。
- 专利类型发明专利
- 申请人无锡海森诺科技有限公司;
- 发明人吴华强;吴广华;
- 地址214192 江苏省无锡市锡山区锡山经济开发区芙蓉中三路99号
- 申请号CN200910162883.5
- 申请时间2009年08月11日
- 申请公布号CN101931852B
- 申请公布时间2012年10月03日
- 分类号H04R31/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
