摘要：本发明涉及薄膜太阳能电池及其基带和制备方法。具体地说，本发明涉及一种薄膜太阳能电池基带，其包括：衬底层，其由合金材料组成；扩散阻挡层，其形成于所述衬底层的上面；和纯铜层，其形成于所述扩散阻挡层的上面。本发明还涉及所述薄膜太阳能电池基带在制备太阳能电池中的用途，包括所述薄膜太阳能电池基带的薄膜太阳能电池，以及所述基带和电池的制备方法。本发明的薄膜太阳能电池及其基带厚度薄、机械性能良好、不会污染功能层。
- 专利类型发明专利
- 申请人安泰科技股份有限公司;
- 发明人胡小萍;方玲;刘迎春;卢志超;周少雄;
- 地址100081 北京市海淀区学院南路76号
- 申请号CN200910087971.3
- 申请时间2009年06月26日
- 申请公布号CN101931011A
- 申请公布时间2010年12月29日
- 分类号H01L31/02(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
