摘要：本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有SOILDMOS器件击穿时电场分布呈现两端高、中间低，其不能充分利用漂移区的问题，提供了一种SOI变埋氧层厚度器件及其制备方法，其技术方案可概括为：SOI变埋氧层厚度器件，包括源极、漏极、埋氧层及n型顶层SOI杂质材料层，其特征在于，所述埋氧层的厚度从源极到漏极逐渐减小，n型顶层SOI杂质材料层的厚度从源极到漏极逐渐增加。本发明的有益效果是，其击穿性能大为提高，适用于SOILDMOS器件。
- 专利类型发明专利
- 申请人四川长虹电器股份有限公司;
- 发明人梁涛;罗波;
- 地址621000 四川省绵阳市高新区绵兴东路35号
- 申请号CN201010253170.2
- 申请时间2010年08月13日
- 申请公布号CN101916784B
- 申请公布时间2012年03月14日
- 分类号H01L29/78(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
