半导体端面泵浦高功率单模风冷激光器

　　摘要：本发明公开了一种半导体端面泵浦高功率单模风冷激光器。第一泵浦源LD与第一耦合聚焦系统之间、第二泵浦源LD与第二耦合聚焦系统之间分别通过光纤连接；第一耦合聚焦系统和第二耦合聚焦系统输出的激光分别入射到所述增益介质；第一耦合聚焦系统和第二耦合聚焦系统与增益介质之间分别设有第一折反镜和第二折反镜；第一折反镜的反射光路上设有热透镜补偿全反镜；第二折反镜的反射光路上设有调Q开关和全反镜；增益介质外侧设有第一温度控制装置和第二温度控制装置，分别用于控制与增益介质的a轴垂直的所有表面和与增益介质的c轴垂直的所有表面的温度。本发明的激光器功率大、效率高且发出的光束质量优良。

专利类型发明专利
申请人武汉华工激光工程有限责任公司;
发明人卢飞星;闵大勇;
地址430223 湖北省武汉市东湖高新技术开发区华中科技大学科技园华工科技激光产业园
申请号CN200910136518.7
申请时间2009年05月06日
申请公布号CN101882750B
申请公布时间2012年12月12日
分类号H01S3/14(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I;H01S3/10(2006.01)I;H01S3/101(2006.01)I;H01S3/11(2006.01)I;H01S3/042(2006.01)I;H01S3/081(2006.01)I;H01S3/09(2006.01)I;