摘要：一种大尺寸硅片用化学机械抛光液及其制备方法，主要应用于大尺寸半导体硅衬底片的超精密加工，能够获得纳米级超光滑表面。所述抛光液的组份和含量的重量百分比如下：二氧化硅磨料5～50；pH值调节剂1～10；表面活性剂0.01～5；助清洗剂0.01～0.05；螯合剂0.01～2：去离子水余量；所述二氧化硅以硅溶胶的状态加入。按上述组份和含量制成抛光液，在合适的抛光工艺条件下，获得了高质量的抛光表面，满足了半导体工业对硅衬底片表面质量和去除速率的要求，且本发明具有成本低、易清洗以及低腐蚀性等优点，具备很好的应用前景。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京国瑞升科技有限公司;
- 发明人张永峰;王宝运;
- 地址100085 北京市海淀区上地信息路12号中关村发展大厦C座401室
- 申请号CN201010207551.7
- 申请时间2010年06月13日
- 申请公布号CN101870852B
- 申请公布时间2013年07月10日
- 分类号C09G1/02(2006.01)I;C23F3/00(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
