摘要：本发明为真空封闭式坩埚下降法生长掺铊碘化钠(NaI(Tl))单晶体的新工艺技术，属于碘化钠晶体的单晶生长领域。在内部衬有与掺铊碘化钠熔体不发生化学反应的物质、且底部为锥形的石英坩埚内加入碘化钠原料，在真空度优于5×10-3Pa的状态下进行热处理，逐步升温到300℃后恒温至少8个小时，在真空度保持不变的情况下降至室温；之后向所述石英坩埚内部加入掺杂原料碘化铊，进行二次抽真空和热处理，直至达到真空度优于3×10-3Pa并且温度为200℃的状态，在此状态下恒温至少8个小时，并对石英坩埚口进行熔封处理，之后按照本技术领域公知的下降法生长掺铊碘化钠单晶体。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京滨松光子技术股份有限公司;
- 发明人张红武;黄朝恩;
- 地址100070 北京市丰台区南四环西路188号11区18号楼
- 申请号CN200910078944.X
- 申请时间2009年03月02日
- 申请公布号CN101824646B
- 申请公布时间2012年05月30日
- 分类号C30B11/00(2006.01)I;C30B29/12(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
