摘要：本发明公开了一种用浸渍裂解法制备高密度再结晶碳化硅制品的方法。它通过多次真空浸渍含碳化硅微粉和聚碳硅烷的浆料，使普通再结晶碳化硅制品的开口气孔大部分被填充。聚碳硅烷在高温下裂解并形成碳化硅结晶，保持了再结晶碳化硅制品高纯度的特点。用该方法制备的高密度再结晶碳化硅制品的体积密度为2.85～2.95g/cm3，开口气孔率3～5％，室温抗弯强度为110～130MPa，1400℃的高温抗弯强度为130～150MPa；还显著提高了制品的高温抗氧化能力，延长了使用寿命，可望扩大其作为高温结构材料的应用范围。
- 专利类型发明专利
- 申请人湖南大学;
- 发明人肖汉宁;郭文明;高朋召;
- 地址410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门
- 申请号CN201010114721.7
- 申请时间2010年02月26日
- 申请公布号CN101823884A
- 申请公布时间2010年09月08日
- 分类号C04B35/622(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
