摘要：本发明公开了一种环境友好半导体材料Mg2Si薄膜的磁控溅射制备工艺，它包括：首先清洗Si基片；其次采用高真空磁控溅射系统在Si单晶上沉积200-500nm纯金属Mg膜，形成Si/Mg薄膜结构；最后放置于真空退火炉内。对真空退火炉抽真空，退火炉背底真空小于等于10-3Pa，往高真空的退火炉内通入氩气，然后封闭退火炉进行退火处理。整个退火过程中，保持退火炉腔体内氩气气压为10-104Pa的氩气氛围、350-550℃退火3-8小时,直接形成环境友好半导体Mg2Si薄膜。本发明的磁控溅射法制备工艺，具有镀膜层与基片的结合力强、镀膜层致密、均匀等优点，适用于工业化的大规模批量生产。
- 专利类型发明专利
- 申请人贵州大学;
- 发明人谢泉;肖清泉;张晋敏;
- 地址550025 贵州省贵阳市花溪区贵州大学科技处
- 申请号CN201010147304.2
- 申请时间2010年04月15日
- 申请公布号CN101798680A
- 申请公布时间2010年08月11日
- 分类号C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;
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