p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件

　　摘要：本发明涉及SOI基上LDMOS器件。本发明针对现有技术的器件未成熟击穿的问题，以及漏极扩展区掺杂浓度与器件耐压的矛盾，公开了一种绝缘衬底上的硅基p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件。本发明的技术方案是，p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括沿Y方向自下而上的衬底、埋氧层、n型掺杂层；所述n型掺杂层X方向一端形成源极n阱，另一端形成漏极p阱，源极n阱和漏极p阱之间为漏极扩展区；所述漏极扩展区由沿Z方向交错并排的n型杂质条和p型杂质条构成，所述n型杂质条和p型杂质条X方向的两端分别与源极n阱和漏极p阱相接。本发明提高了器件耐压的同时，降低了器件导通电阻，非常适合用于制造PDP寻址集成电路。

专利类型发明专利
申请人四川长虹电器股份有限公司;
发明人廖红;罗波;
地址621000 四川省绵阳市高新区绵兴东路35号
申请号CN201010300959.9
申请时间2010年01月29日
申请公布号CN101777584B
申请公布时间2011年12月07日
分类号H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;