摘要：本发明涉及SOI基上横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。本发明针对现有技术SOI基LDMOS器件中，仅部分漂移区参与导电的问题，公开了一种SOI基横向双扩散金属氧化物半导体器件，利用漂移区n型杂质条和p型杂质条共同导电，达到漂移区的充分利用，降低导通损耗，提高器件性能。本发明的技术方案，通过在漏极电极设置n阱，在漏极n阱中设置漏极p+接触区、漏极n+接触区，引入寄生PNP晶体管实现漂移区n型杂质条和p杂质条共同参与导电，能够达到功率集成电路对于低电阻的要求，可以达到200～700V器件耐压要求，可用在高压电平位移单元中，该电平位移单元可应用为PDP寻址集成电路中作为有源元件。
- 专利类型发明专利
- 申请人四川长虹电器股份有限公司;
- 发明人梁涛;罗波;孙镇;廖红;黄勇;黄光佐;
- 地址621000 四川省绵阳市高新区绵兴东路35号
- 申请号CN200910312670.6
- 申请时间2009年12月30日
- 申请公布号CN101771082B
- 申请公布时间2012年04月18日
- 分类号H01L29/78(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
