摘要：本发明公开了一种半导体泵浦紫外激光器，其包括有两组泵浦耦合聚焦系统及一个谐振腔，该两组泵浦耦合聚焦系统分别位于谐振腔的两端，泵浦耦合聚焦系统发出的泵浦光射入谐振腔内双端面泵浦谐振腔内的激光工作晶体，谐振腔内设有紫外激光输出装置。借由本发明的半导体泵浦紫外激光器，可以达到产生的紫外激光光束质量好、且转换效率高的优点。
- 专利类型发明专利
- 申请人武汉华工激光工程有限责任公司;
- 发明人闵大勇;卢飞星;何里;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖高新技术开发区华中科技大学科技园华工科技激光产业园
- 申请号CN201010000271.9
- 申请时间2010年01月07日
- 申请公布号CN101764348B
- 申请公布时间2012年06月06日
- 分类号H01S3/16(2006.01)I;H01S3/0941(2006.01)I;H01S3/081(2006.01)I;H01S3/10(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
