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    一种低电压缓启动电路

      摘要:本发明公开了一种低电压缓启动电路,包括晶体管MOS1和控制回路,所述晶体管MOS1为N-channel?MosFET,晶体管MOS1的漏极接主输入电压Vin1,晶体管MOS1的源极接输出电压Vout,晶体管MOS1的栅极接控制回路,控制回路的另一端与辅助输入电压Vin2相连,由于采用了有差值且差值大于晶体管MOS1的阈值电压的两路输入电压Vin1和Vin2,使得晶体管MOS1能够正常导通,又由于控制回路控制晶体管MOS1的导通时间,并使输出电压平滑上升,从而实现低电压缓启动和时序控制的功能,同时也解决了输出电压出现打嗝现象的问题。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人广东威创视讯科技股份有限公司;
    • 发明人梁红涛;赖增茀;郑维;
    • 地址510663 广东省广州市广州高新技术产业开发区彩频路6号
    • 申请号CN200910194277.1
    • 申请时间2009年12月01日
    • 申请公布号CN101739112B
    • 申请公布时间2013年08月21日
    • 分类号G06F1/30(2006.01)I;