摘要：本发明公开了一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，该发光二极管外延片结构从下向上的顺序依次为衬底，低温缓冲层，未掺杂的氮化镓高温缓冲层，氮化铝镓/氮化镓超晶格结构，未掺杂的氮化镓高温缓冲层、N型接触层、N型氮化镓导电层、发光层多量子阱结构MQW、P型氮化铝镓电子阻挡层、P型氮化镓导电层、P型接触层，本发明在未掺杂的氮化镓高温缓冲层中插入了一氮化铝镓/氮化镓超晶格周期结构。氮化铝镓/氮化镓超晶格周期结构的插入能有效改善材料的晶体质量，从而提高氮化镓基发光二极管抗静电能力，提高器件的可靠性和稳定性。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人刘玉萍;魏世祯;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖开发区滨湖路8号
- 申请号CN200910062768.0
- 申请时间2009年06月22日
- 申请公布号CN101645480B
- 申请公布时间2012年05月30日
- 分类号H01L33/00(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
