PtIr合金薄膜及涂层的制备方法

　　摘要：本发明涉及一种高硬度且成分均匀的PtIr合金薄膜及其制备技术。以该合金薄膜采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术制备。合金成分(Ir元素重量百分比)在4-45％之间，合金成分波动幅度在5％以内；合金纯度在99.08-99.63％之间。与传统铸造加工技术制备的PtIr合金相比，本发明方法制备的PtIr合金硬度大(MOCVD法制备合金维氏硬度为475-853，铸造加工合金维氏硬度为150-350，MOCVD技术制备的PtIr合金硬度是铸造法制备的同含量PtIr合金的2.5-3.0倍)，并可节省贵金属。本发明方法制备的PtIr合金可应用于高温保护涂层和电接触材料领域。

专利类型发明专利
申请人贵研铂业股份有限公司;
发明人胡昌义;陈力;魏燕;蔡宏中;毛传军;王云;
地址650106云南省昆明市高新技术开发区科技路988号(贵研铂业股份有限公司)
申请号CN200910094859.2
申请时间2009年08月21日
申请公布号CN101643894A
申请公布时间2010年02月10日
分类号C23C16/18(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;F02K1/00(2006.01)I;