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    带热沉的LED芯片及其制造方法

      摘要:本发明涉及了一种带热沉的LED芯片及其制造方法,包括LED芯片和热沉,所述LED芯片是在蓝宝石衬底一面具有外延层,该外延层上设有相互分离的P电极和N电极,所述蓝宝石衬底另一面镀有背金层,其特征在于:LED芯片和热沉之间有一个钎焊层,所述LED芯片具有背金层的一面通过钎焊层共晶邦定一热沉,且所述热沉面积至少为LED芯片面积的三倍。在有超声、压力、加温的情况下通过钎焊层进行共晶邦定,这样LED芯片背面邦定一个自身面积至少三倍的热沉,从而增大了导热面积、改善了LED的散热,有效地降低了LED的光衰,保证LED的可靠性、一致性和寿命。
    • 专利类型发明专利
    • 申请人华灿光电股份有限公司;
    • 发明人刘榕;张建宝;郑如定;
    • 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
    • 申请号CN200910062024.9
    • 申请时间2009年05月08日
    • 申请公布号CN101582480B
    • 申请公布时间2011年06月22日
    • 分类号H01L33/00(2006.01)I;