摘要：本发明涉及的是一种能够改善Bi系高温超导线材内部界面条件的方法，利用线材单芯拔制完成后、多芯拔制完成后，以及初轧后和第一次烧结热处理前，增加预处理工艺等方法，对残余线材内部的内应力先行消除，降低内应力对银-超界面的影响，减少裂纹的产生，提高超导线材性能。利用本发明方法制备的超导带材，银-超界面条件得到明显改善，内裂纹的长度小于5μm，带材内部Bi-2223相的晶粒取向角差小于10°，带材(多芯)进行第一次热处理前内部的残余应力小于0.5MPa。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京英纳超导技术有限公司;
- 发明人刘睿;
- 地址100176 北京市北京经济技术开发区荣昌东街7号隆盛工业园
- 申请号CN200910085941.9
- 申请时间2009年06月03日
- 申请公布号CN101580897B
- 申请公布时间2011年03月23日
- 分类号C21D9/52(2006.01)I;C21D1/26(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
