摘要：本发明公开了一种提高发光二极管外量子效率的方法，发光二极管外延片结构中P型层的生长方式采用了一种新颖的粗化方法：提高P型层Mg的掺杂浓度，从而达到外延片表面粗糙化的效果。粗化层可以是P型复合层中任意一层，或多层，或某一层某一个区域。本发明方法的设计既保证了较高的空穴浓度又提供了粗化表面，LED表面粗化层将那些满足全反射定律的光改变方向，破坏光线在LED内部的全反射，提升出光效率，从而提高外量子效率。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人刘玉萍;魏世祯;孙飞;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖开发区滨湖路8号
- 申请号CN200910061316.0
- 申请时间2009年03月27日
- 申请公布号CN101521258B
- 申请公布时间2013年07月31日
- 分类号H01L33/00(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
