摘要：本发明公开了一种新型环境半导体光电子材料β－FeSi2薄膜的制备工艺，涉及一种Fe－Si化合物，首先采用磁控溅射方法在Si基片上沉积一层厚度50－150nm的金属Fe膜，随后在真空退火炉中880－920℃退火12－18小时获得Fe－Si化合物中的半导体相β－FeSi2薄膜，由于采用直流磁控溅射方法，使沉积在Si基片上的Fe膜厚度均匀、工艺简单、成本低，易于制备大面积β－FeSi2薄膜，易于工业化生产，又由于退火时间和温度能严格控制，产品质量稳定，重现性好。
- 专利类型发明专利
- 申请人贵州大学;
- 发明人谢泉;张晋敏;曾武贤;梁艳;肖清泉;
- 地址550025贵州省贵阳市花溪区贵州大学北校区科技处
- 申请号CN200810068861.8
- 申请时间2008年08月12日
- 申请公布号CN101339906A
- 申请公布时间2009年01月07日
- 分类号H01L21/363(2006.01);H01L31/18(2006.01);H01L33/00(2006.01);
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