摘要：本发明涉及辐射测量技术领域，具体涉及一种用于高纯锗探测器无源效率刻度的锗晶体尺寸自动调整方法。该方法在一个测量位置处，获得多个不同Ei能量γ射线全能峰探测效率测量值，然后依据探测器产品说明书的晶体原始尺寸，进行蒙特卡罗模拟计算，获得相应的各Ei能量γ射线全能峰探测效率计算值；对效率计算值与测量值进行误差分析，通过蒙特卡罗计算获得当前晶体尺寸下，晶体尺寸T、R、L对E能量γ射线的效率影响公式；设定计算效率期望改变百分比，建立方程组，求解获得新晶体尺寸，如此循环得到最终结果。本发明可以自动、快速、准确地确定高纯锗晶体及其灵敏区尺寸，从而对高纯锗探测器实现快速蒙特卡罗无源效率刻度提供了有效的保证。
- 专利类型发明专利
- 申请人中国辐射防护研究院;
- 发明人刘立业;马吉增;张斌全;
- 地址030006山西省太原市学府街102号
- 申请号CN200610149634.9
- 申请时间2006年10月13日
- 申请公布号CN101162269A
- 申请公布时间2008年04月16日
- 分类号G01T1/24(2006.01);H01L31/115(2006.01);
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京公网安备11010802043465号
