摘要：本发明涉及一种高纯锗探测器无源效率刻度的方法。该方法可以自动、快速、准确地确定高纯锗晶体及其灵敏区尺寸，然后利用蒙特卡罗方法直接进行模拟计算，从而快速实现高纯锗探测器无源效率刻度。
- 专利类型发明专利
- 申请人中国辐射防护研究院;
- 发明人马吉增;刘立业;潘红娟;候海权;张斌全;张勇;杨绍文;
- 地址030006山西省太原市120信箱
- 申请号CN200610065054.1
- 申请时间2006年03月17日
- 申请公布号CN100552440C
- 申请公布时间2009年10月21日
- 分类号G01N23/00(2006.01)I;G01T1/00(2006.01)I;G06F19/00(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
