摘要：一种绝缘栅半导体器件(30)，包括栅极(34)、源极端子(36)、漏极端子(38)和栅极处的可变输入电容。该器件导通时的输入电容(Cfiss)和该器件截止时的输入电容(Ciiss)之间的比值小于2，并且优选地基本上等于1。在本发明的一个实施方式中，这是通过栅极处的有效厚度dins小于最小厚度的绝缘层(32)来实现的。
- 专利类型PCT发明
- 申请人西北大学;
- 发明人巴兰德·韦斯尔;奥克尔·C.·德扎格尔;
- 地址南非波切夫斯特鲁姆
- 申请号CN200480006969.4
- 申请时间2004年01月21日
- 申请公布号CN100508211C
- 申请公布时间2009年07月01日
- 分类号H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H03K17/04(2006.01)I;
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