摘要：一种高温超导覆膜导体及其制备方法，具体涉及一种采用离子束辅助沉积(IBAD)工艺与化学溶液法制膜工艺相结合来制备的高温超导覆膜导体及其制备方法，属于高温超导覆膜导体及其制备领域。覆膜导体沿纵切面由超导保护层、YBCO超导层、CeO2缓冲层、IBAD YSZ缓冲层、金属基底组成。先在金属基带材料上制备出双轴织构缓冲层和附加缓冲层；再在这些缓冲层材料衬底上制备YBCO超导层和失超保护层，即得到这种高温超导覆膜导体。本发明结合了IBAD工艺成膜质量好和化学溶液法制备成本低的优点，能够在合适的柔性金属衬底上制备出具有均匀超导电流分布的高温超导覆膜导体。成膜质量好，制备成本低，在工业上有较好的实用前景。
- 专利类型发明专利
- 申请人清华大学;北京英纳超导技术有限公司;
- 发明人王三胜;韩征和;刘莉;
- 地址100084北京市海淀区北京100084－82信箱
- 申请号CN200510011756.7
- 申请时间2005年05月20日
- 申请公布号CN100395847C
- 申请公布时间2008年06月18日
- 分类号H01B12/00(2006.01);H01B13/00(2006.01);H01L39/00(2006.01);
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