摘要:一种大面积均匀薄膜或长超导导线的制备方法,尤其涉及一种制备高温超导覆膜导体的成膜方法,及装置。该方法可以满足超导长带材和大面积膜对热处理过程中的烧结温度和气氛气流的均匀性和精确性的要求;该装置包括炉体,石英炉管,送气系统,出气系统,螺旋管式长导线样品架或者片式大面积膜样品架,金属法兰盘旋转密封系统,可调速电机,测温热电偶及其管道。对于大面积薄膜沉积,不需要昂贵的真空室设备投资;对于超导长导线制备,不存在界面问题,从而能够制备出具有更好超导性能的长超导导线。采用的非真空制备方法能大大降低操作条件和实施成本,提高成膜的均匀性和连续带材的最终临界电流密度。
- 专利类型发明专利
- 申请人清华大学;北京英纳超导技术有限公司;
- 发明人韩征和;王三胜;刘莉;
- 地址100084北京市100084-82信箱
- 申请号CN200510058998.1
- 申请时间2005年03月29日
- 申请公布号CN100372140C
- 申请公布时间2008年02月27日
- 分类号H01L39/24(2006.01);H01B12/00(2006.01);