发光二极管

　　摘要：一种半导体发光二极管，其包括形成于基片(100)的同一侧的，密置分开的n和p型电极，以形成一具有小具体结构(footprint)的LED。一种半透明U形p型连接层(102)沿着其下的窗口层(101)的顶表面的3个边形成。p型电极(103)形成于p连接层上，且位于U形的闭合端的中心。一n型连接层(105)形成于覆层(203)上，且位于p型连接层(102)的U形开口端的中心。n型电极(106)形成于n型连接层(105)上。n型和p型电极间由位于电极间的凹槽(107)或绝缘体电绝缘实现电隔离。

专利类型PCT发明
申请人大连路明科技集团有限公司;
发明人H·刘;X·程;
地址中国大连
申请号CN01821281.6
申请时间2001年12月21日
申请公布号CN100367508C
申请公布时间2008年02月06日
分类号H01L27/15(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01L29/12(2006.01);H01L29/22(2006.01);H01L29/20(2006.01);H01L29/06(2006.01);